隨著時代的進步，科技的發(fā)展，以高頻感應(yīng)加熱電源為首的感應(yīng)加熱電源一直以迅猛的速度在發(fā)展，今天我們就來看一下未來在熱處理行業(yè)，高頻感應(yīng)退火電源的發(fā)展趨勢如何。

1)主電路功率開關(guān)器件的自開關(guān)斷化、模塊化、集成化、智能化；開關(guān)頻率不斷提高，開關(guān)損耗進一步降低。

2)對低壓小容量的裝置常采用6脈波整流器；而對中壓大容量的裝置采用12脈波、24脈波整流器，降低對電源系統(tǒng)的諧波干擾，以及對周圍電子設(shè)備的電磁輻射干擾。

3)微處理器的進步使數(shù)字控制成為現(xiàn)代控制器的發(fā)展方向。近幾年來，我國及國外各大公司紛紛推出以DSP為基礎(chǔ)的內(nèi)核，配以所需的外圍功能電路，集成在單一芯片內(nèi)的稱為DSP單片控制器，價格較大降低，體積縮小，結(jié)構(gòu)緊湊，使用便捷，可靠性提高。DSP和普通的單片機相比，處理數(shù)字運算能力增強10~15倍，可確保系統(tǒng)有更優(yōu)越的控制性能。數(shù)字控制使硬件簡化，各種智能控制算法將會使控制性能得到很大的提高，可實現(xiàn)復(fù)雜控制規(guī)律，使現(xiàn)代控制理論在控制系統(tǒng)中應(yīng)用成為現(xiàn)實，易于與上層系統(tǒng)連接進行數(shù)據(jù)傳輸，便于故障診斷、加強保護和監(jiān)視功能，從而提高系統(tǒng)的智能化水平。

4)高頻感應(yīng)退火電源的大容量化技術(shù)，從電路的角度來考慮可以分為兩大類：一類是器件的串、并聯(lián)，另一類是多臺電源的并聯(lián)。在器件的串、并聯(lián)方式中，必須認(rèn)真處理串聯(lián)器件的均壓問題和并聯(lián)器件的均流問題。由于器件制造工藝和參數(shù)的離散性，限制了器件的串、并聯(lián)數(shù)目，且串、并聯(lián)數(shù)越多，裝置的可靠性越差。由于MOSFET是多載流子器件，不存在存儲時間，因此它的開關(guān)時間遠(yuǎn)小于IGBT。另外，MOSFET不存在二次擊穿問題，具有矩形安全區(qū)，驅(qū)動功率小，易并聯(lián)等優(yōu)點，因此常適合于高頻大功率的高頻感應(yīng)退火電源。采用MOSFET可能引起的問題是，由于它是高速開關(guān)，則對布線要求苛刻，而高壓MOSFET的通態(tài)損耗較大，在相同頻率下盡量選用IGBT。通過改變電路的結(jié)構(gòu)實現(xiàn)電源的大容量化：