表2-16列出了部分MOSFET感應(yīng)加熱電源的制造水平。大功率高頻IGBT已成為眾多感應(yīng)退火電源的首選器件，頻率達(dá)200 kHz，功率高達(dá)mW級(jí)電源已可實(shí)現(xiàn)。1993 年西班牙報(bào)道了30 -600kW，50 - 100 kHz 電流型并聯(lián)逆變感應(yīng)加熱電源；1994年，日本采用IGBT研制出了1200kW，50kHz的電流型并聯(lián)逆變感應(yīng)加熱電源；其他一些國(guó)家如英國(guó)、法國(guó)、瑞士等國(guó)的系列化超音頻感應(yīng)加熱電源的容量，也達(dá)到了數(shù)百千瓦。國(guó)內(nèi)超音頻感應(yīng)加熱電源的系列化產(chǎn)品達(dá)到了10 -5000kW，10 -50kHz 的制造水平?？偟膩?lái)說(shuō)，我國(guó)的晶體管固態(tài)感應(yīng)加熱電源在頻率及功率方面與國(guó)外相比還有一定的差距。