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淺析鈹青銅薄膜片零件進(jìn)行高頻感應(yīng)加熱設(shè)備熱處理工藝過程

淺析鈹青銅薄膜片零件進(jìn)行高頻感應(yīng)加熱設(shè)備熱處理工藝過程

某專用儀表用鈹青銅膜片(壁厚≤0.06mm)在氨分解氣氛下,通過高頻感應(yīng)加熱設(shè)備加熱淬火,(770+10)℃ x7min水冷,經(jīng)常出現(xiàn)氣泡和丘疹表面缺陷,往往造成工件報(bào)廢,嚴(yán)重影響產(chǎn)品生產(chǎn)。

對鈹青銅氣泡缺陷,目前看法比較一致,認(rèn)為是材料熔煉時(shí)脫氧不良引起的。形貌特征為兩面凸起,內(nèi)有空腔的典型氣泡型缺陷。丘疹缺陷金相觀察到表面凸起,部分中心有一小片明亮區(qū),外圍為暗圈區(qū)。掃描電鏡觀察發(fā)現(xiàn),呈密布長條球狀凸起形貌,同時(shí)伴有一些表面破脹后顯露的空腔,局部有表面塑性變形發(fā)展至撕裂的痕跡。鈹青銅氨分解保護(hù)高頻感應(yīng)加熱設(shè)備加熱淬火后生成的丘疹,實(shí)際上是一種細(xì)小的氣泡。

試驗(yàn)分析表明,材料中含有氣體是導(dǎo)致工件出現(xiàn)氣泡的原因之一。而鈹青銅薄膜件在氨分解氣氛中進(jìn)行高頻感應(yīng)加熱設(shè)備加熱淬火時(shí),氫是誘發(fā)表面丘疹的主要原因。鈹青銅膜片在氨分解氣氛中加熱時(shí),在高溫和氣氛壓力下,一部分氫原子吸附于膜片表面,并沿晶界和位錯(cuò)向內(nèi)擴(kuò)散,并集聚于應(yīng)力集中的位錯(cuò)線、晶界和空穴處。氫原子形成氫分子,產(chǎn)生巨大的內(nèi)應(yīng)力。在應(yīng)力下膜片發(fā)生變形,在強(qiáng)度最躺處形成表面凸起甚至表破裂。這是鈹青銅膜片形成丘疹的主要原因。試驗(yàn)和分析發(fā)現(xiàn),只有很薄的工件,厚度在0.04mm左右才易出現(xiàn)丘疹缺陷。薄膜片在高頻感應(yīng)加熱設(shè)備加熱中,兩外表面吸收氫原子同時(shí)擴(kuò)散,易于富集在材料某些位錯(cuò)、空穴處。

根據(jù)上述分析可知,防止氫的滲入,使金屬表面生成氧化膜,是避免膜片產(chǎn)生丘疹缺陷的有效方法。試驗(yàn)表明,采用320℃士10℃預(yù)氧化若干分鐘后,可防止膜片表面形成丘疹。這是由于氧化膜與氫進(jìn)行氧化還原反應(yīng),氧化銅被還原為銅,貼附于膜片表面,氫氧化生成水蒸氣逸出。這樣,一方面氧化膜堵塞了氫氣的滲入通道,另一方面又降低了膜片表面的瞬時(shí)氫分壓,有效阻止氯原丁疹入膜片金屬。320℃借助高頻感應(yīng)加熱設(shè)備加熱后,降低了加工中造成的內(nèi)應(yīng)力,位錯(cuò)線、空穴缺陷處應(yīng)力下降,顯微空穴焊合,氫原千萬集程度下降,可有效防止膜片表面形成的丘疹缺陷。

生產(chǎn)中采用320℃士10℃保溫若干分鐘預(yù)氧化處理后,鈹青銅膜片上生成很薄的一層氧化膜(厚度≤0.001mm),可有效防止工件表面形成丘疹缺陷,生產(chǎn)實(shí)踐表明,丘疹率低于3%。

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